SVF2N70MN Todos los transistores

 

SVF2N70MN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF2N70MN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22.27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251N
 

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SVF2N70MN Datasheet (PDF)

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SVF2N70MN

SVF2N70M/MJ/F/D/NF/MN 10A650V N 2SVF2N70M/MJ/ F/D/NF/MN N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251-3L1132

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SVF2N70MN

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

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SVF2N70MN

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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 svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N70MN

SVF2N60RD/M/MJ 2A600V N 2SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1133

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History: AOC2413 | IXFH28N60P3 | 2SK1905 | H4946S | IRF4104PBF | KQS4901 | BSC018N04LSG

 

 
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