SVF2N70MN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF2N70MN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22.27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32.2 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Encapsulados: TO251N
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SVF2N70MN datasheet
svf2n70m svf2n70mj svf2n70f svf2n70d svf2n70nf svf2n70mn.pdf
SVF2N70M/MJ/F/D/NF/MN 10A 650V N 2 SVF2N70M/MJ/ F/D/NF/MN N MOS 1 2 3 F-CellTM VDMOS TO-251-3L 1 1 3 2
svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf
SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L
svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf
SVF2N60RD/M/MJ 2A 600V N 2 SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 3
Otros transistores... HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SI2302 , SVF3878PN , SVF3N80M , SVF3N80MJ , SVF3N80T , SVF3N80F , SVF3N80D , SVF4N60D , SVF4N60T .
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Liste
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