SVF2N70MN - описание и поиск аналогов

 

SVF2N70MN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF2N70MN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22.27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO251N

Аналог (замена) для SVF2N70MN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N70MN даташит

 ..1. Size:589K  silan
 svf2n70m svf2n70mj svf2n70f svf2n70d svf2n70nf svf2n70mn.pdf pdf_icon

SVF2N70MN

SVF2N70M/MJ/F/D/NF/MN 10A 650V N 2 SVF2N70M/MJ/ F/D/NF/MN N MOS 1 2 3 F-CellTM VDMOS TO-251-3L 1 1 3 2

 9.1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N70MN

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

 9.2. Size:362K  silan
 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N70MN

 9.3. Size:614K  silan
 svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N70MN

SVF2N60RD/M/MJ 2A 600V N 2 SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , FTB07N08N , FTP02N04NA , RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SI2302 , SVF3878PN , SVF3N80M , SVF3N80MJ , SVF3N80T , SVF3N80F , SVF3N80D , SVF4N60D , SVF4N60T .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.