SVF3N80F Todos los transistores

 

SVF3N80F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF3N80F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30.53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SVF3N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  silan
svf3n80m svf3n80mj svf3n80f svf3n80d svf3n80t.pdf pdf_icon

SVF3N80F

SVF3N80M/MJ/F/D 3A800V N SVF3N80M/MJ/F/D NMOSF-CellTMVDMOS AC-DC

 9.1. Size:376K  silan
svf3n65vfj.pdf pdf_icon

SVF3N80F

SVF3N65VFJ 5A650V N 2SVF3N65VFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

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History: NCE70N1K4K | CS5630 | 2SJ49 | IRFIZ48V | CJP05N60 | HTJ850P03 | YJQ40G10A

 

 
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