SVF3N80F - описание и поиск аналогов

 

SVF3N80F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF3N80F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30.53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF3N80F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF3N80F даташит

 ..1. Size:620K  silan
svf3n80m svf3n80mj svf3n80f svf3n80d svf3n80t.pdfpdf_icon

SVF3N80F

SVF3N80M/MJ/F/D 3A 800V N SVF3N80M/MJ/F/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 9.1. Size:376K  silan
svf3n65vfj.pdfpdf_icon

SVF3N80F

Другие MOSFET... RU20P7C-I , HX2300 , HX2300A , SVF2N70MN , SVF3878PN , SVF3N80M , SVF3N80MJ , SVF3N80T , IRF2807 , SVF3N80D , SVF4N60D , SVF4N60T , SVF4N60M , SVF4N60F , SVF4N60RDM , SVF4N60RD , SVF4N65CAF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.