SVF3N80D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF3N80D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 80 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 9 nC
Tiempo de subida (tr): 30.53 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 42.7 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF3N80D
SVF3N80D Datasheet (PDF)
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SVF3N80M/MJ/F/D 3A800V N SVF3N80M/MJ/F/D NMOSF-CellTMVDMOS AC-DC
9.1. Size:376K silan
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SVF3N65VFJ 5A650V N 2SVF3N65VFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.
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