Справочник MOSFET. SVF3N80D

 

SVF3N80D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF3N80D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
   Время нарастания (tr): 30.53 ns
   Выходная емкость (Cd): 42.7 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SVF3N80D

 

 

SVF3N80D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  silan
svf3n80m svf3n80mj svf3n80f svf3n80d svf3n80t.pdf

SVF3N80D
SVF3N80D

SVF3N80M/MJ/F/D 3A800V N SVF3N80M/MJ/F/D NMOSF-CellTMVDMOS AC-DC

 9.1. Size:376K  silan
svf3n65vfj.pdf

SVF3N80D
SVF3N80D

SVF3N65VFJ 5A650V N 2SVF3N65VFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top