SVF4N60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF4N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Encapsulados: TO252
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SVF4N60D datasheet
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SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc
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History: HUFA75639S3S
History: HUFA75639S3S
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