SVF4N65CAF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF4N65CAF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SVF4N65CAF MOSFET
SVF4N65CAF Datasheet (PDF)
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SVF4N65CAF/D/M/MJ 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf
SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3
svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf
SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 31.
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History: AP9966GM-HF | IXFP60N25X3
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