SVF4N65CAF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVF4N65CAF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF4N65CAF

SVF4N65CAF Datasheet (PDF)

..1. Size:314K silan
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SVF4N65CAF/D/M/MJ 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13

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SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3

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SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 31.

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SVF4N65CAFJH 4A650V N 2SVF4N65CAFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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SVF4N65CF/MJ 4A650V N 2SVF4N65CF/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

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SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

7.3. Size:642K silan
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SVF4N65T/F(G)/M_Datasheet 4A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N65T/F(G)/M is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

7.4. Size:672K silan
svf4n65rd svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf