SVF4N65CAF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF4N65CAF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SVF4N65CAF datasheet
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf
SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A 650V N 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3
svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf
SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A 650V N 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1.
Otros transistores... SVF3N80F, SVF3N80D, SVF4N60D, SVF4N60T, SVF4N60M, SVF4N60F, SVF4N60RDM, SVF4N60RD, IRFB31N20D, SVF4N65CAD, SVF4N65CAM, SVF4N65CAMJ, SVF4N65CAMN, SVF4N65CAK, SVF4N65D, SVF4N65RD, SVF4N65RM
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Liste
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