Справочник MOSFET. SVF4N65CAF

 

SVF4N65CAF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N65CAF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65CAF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  silan
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj.pdfpdf_icon

SVF4N65CAF

SVF4N65CAF/D/M/MJ 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13

 ..2. Size:752K  silan
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdfpdf_icon

SVF4N65CAF

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3

 ..3. Size:466K  silan
svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdfpdf_icon

SVF4N65CAF

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 31.

 0.1. Size:319K  silan
svf4n65cafjh.pdfpdf_icon

SVF4N65CAF

SVF4N65CAFJH 4A650V N 2SVF4N65CAFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP60WN1K5I | HGK110N20S | NDT6N70 | PJM10H03NSC | SM4833NSK | IPD50R280CE | SM1F08NSFP

 

 
Back to Top

 


 
.