SVF4N65CAM MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF4N65CAM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF4N65CAM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 22.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: TO251D

Búsqueda de reemplazo de SVF4N65CAM MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A 650V N 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A 650V N 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1.

5.1. Size:319K silan
svf4n65cafjh.pdf pdf_icon

History: CS3N70HD

🌐 : EN ES РУ