Справочник MOSFET. SVF4N65CAM

 

SVF4N65CAM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF4N65CAM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251D

 Аналог (замена) для SVF4N65CAM

 

 

SVF4N65CAM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  silan
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65CAF/D/M/MJ 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13

 ..2. Size:752K  silan
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3

 ..3. Size:466K  silan
svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 31.

 5.1. Size:319K  silan
svf4n65cafjh.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65CAFJH 4A650V N 2SVF4N65CAFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.1. Size:401K  silan
svf4n65cf svf4n65cmj.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65CF/MJ 4A650V N 2SVF4N65CF/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 7.1. Size:449K  silan
svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

 7.2. Size:697K  silan
svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 7.3. Size:642K  silan
svf4n65.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65T/F(G)/M_Datasheet 4A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N65T/F(G)/M is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 7.4. Size:672K  silan
svf4n65rd svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A650V N 2SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

 7.5. Size:427K  silan
svf4n65t svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65m svf4n65d svf4n65dtr svf4n65k.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS F-CellTM VDMOS

 7.6. Size:433K  silan
svf4n65rdtr svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 4A650V N 2SVF4N65RD/M/MJ/F/T N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

 7.7. Size:620K  silan
svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdf

SVF4N65CAM
SVF4N65CAM

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N 2SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L13

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFR64N60Q3

 

 
Back to Top