SVF5N65D Todos los transistores

 

SVF5N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF5N65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31.93 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO252

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SVF5N65D datasheet

 ..1. Size:562K  silan
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SVF5N65D

SVF5N65D/F 5A 650V N 2 SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2. 3.

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SVF5N65D

SVF5N65D/F 5A 650V N 2 SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2. 3.

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SVF5N65D

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 8.2. Size:563K  silan
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SVF5N65D

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