Справочник MOSFET. SVF5N65D

 

SVF5N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF5N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31.93 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF5N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  silan
 svf5n65d svf5n65f.pdf pdf_icon

SVF5N65D

SVF5N65D/F 5A650V N 2SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

 0.1. Size:392K  silan
 svf5n65dtr svf5n65f.pdf pdf_icon

SVF5N65D

SVF5N65D/F 5A650V N 2SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

 8.1. Size:528K  1
 svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N65D

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 8.2. Size:563K  silan
 svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf pdf_icon

SVF5N65D

SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS F-CellTM VDMOS 1133TO-252-2L 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: H01N60SA | 2SK1337 | AM7381P | STP25NM50N | IXTM15N45A | HM609K | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.