SVF5N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF5N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31.93 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVF5N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF5N65D даташит

 ..1. Size:562K  silan
 svf5n65d svf5n65f.pdf pdf_icon

SVF5N65D

SVF5N65D/F 5A 650V N 2 SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2. 3.

 0.1. Size:392K  silan
 svf5n65dtr svf5n65f.pdf pdf_icon

SVF5N65D

SVF5N65D/F 5A 650V N 2 SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2. 3.

 8.1. Size:528K  1
 svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N65D

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 8.2. Size:563K  silan
 svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf pdf_icon

SVF5N65D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF4N65CAK, SVF4N65D, SVF4N65RD, SVF4N65RM, SVF4N65RMJ, SVF4N65RF, SVF4N65RT, SVF5N60K, RU7088R, SVF5N65F, SVF6N60MJ, SVF6N60F, SVF6N60D, SVF6N70F, SVF740MJ, SVF7N60CF, SVF7N60CS