SVF5N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVF5N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.63 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31.93 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF5N65F

SVF5N65F Datasheet (PDF)

..1. Size:562K silan
svf5n65d svf5n65f.pdf

SVF5N65D/F 5A650V N 2SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

..2. Size:392K silan
svf5n65dtr svf5n65f.pdf

SVF5N65D/F 5A650V N 2SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

8.1. Size:528K 1
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SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

8.2. Size:563K silan
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