Справочник MOSFET. SVF5N65F

 

SVF5N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF5N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.63 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 31.93 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVF5N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF5N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  silan
 svf5n65d svf5n65f.pdf pdf_icon

SVF5N65F

SVF5N65D/F 5A650V N 2SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

 ..2. Size:392K  silan
 svf5n65dtr svf5n65f.pdf pdf_icon

SVF5N65F

SVF5N65D/F 5A650V N 2SVF5N65D/F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

 8.1. Size:528K  1
 svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N65F

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 8.2. Size:563K  silan
 svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf pdf_icon

SVF5N65F

SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS F-CellTM VDMOS 1133TO-252-2L 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF4N65D , SVF4N65RD , SVF4N65RM , SVF4N65RMJ , SVF4N65RF , SVF4N65RT , SVF5N60K , SVF5N65D , 2N7002 , SVF6N60MJ , SVF6N60F , SVF6N60D , SVF6N70F , SVF740MJ , SVF7N60CF , SVF7N60CS , SVF7N60CK .

History: BUK725R0-40C

 

 
Back to Top

 


 
.