SVF7N60CF Todos los transistores

 

SVF7N60CF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF7N60CF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF7N60CF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:783K  silan
 svf7n60cf svf7n60cs svf7n60ck svf7n60cmj svf7n60cd svf7n60ct.pdf pdf_icon

SVF7N60CF

SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 7A600V N SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N MOS F-CellTM VDMOS

 ..2. Size:452K  silan
 svf7n60cf svf7n60cs svf7n60cstr svf7n60ck svf7n60cmj svf7n60cd svf7n60cdtr svf7n60ct.pdf pdf_icon

SVF7N60CF

SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 7A600V N 2 SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N MOS 1213 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L3

 7.1. Size:512K  silan
 svf7n60f svf7n60s svf7n60d.pdf pdf_icon

SVF7N60CF

SVF7N60F/S/D 7A600V N SVF7N60F/S/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 7.2. Size:627K  silan
 svf7n60t svf7n60f.pdf pdf_icon

SVF7N60CF

SVF7N60T/F_Datasheet 7A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

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History: IRF7309IPBF | WFY3N02

 

 
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