SVF840S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF840S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SVF840S MOSFET
SVF840S Datasheet (PDF)
svf840f svf840d svf840s svf840mj.pdf

SVF840F/D/S/MJ 8A500V N SVF840F/D/S/MJ N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
Otros transistores... SVF7N65CS , SVF7N65CFQ , SVF7N65CT , SVF7N65S , SVF7N80T , SVF7N80F , SVF840F , SVF840D , P55NF06 , SVF840MJ , SVF8N60T , SVF8N60F , SVF8N65T , SVF8N65F , SVS11N65FJD2 , SVS20N60FJD2 , SVS20N60KD2 .
History: IRF7507 | AP4800GM | SM8205AO | JMPL0648PKQ | BLS7G2729L-350P | DMG1016UDW
History: IRF7507 | AP4800GM | SM8205AO | JMPL0648PKQ | BLS7G2729L-350P | DMG1016UDW



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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