SVF840S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVF840S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 59.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVF840S Datasheet (PDF)
..1. Size:758K silan
svf840f svf840d svf840s svf840mj.pdf
svf840f svf840d svf840s svf840mj.pdf

SVF840F/D/S/MJ 8A500V N SVF840F/D/S/MJ N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS
History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124