SVS20N60FJD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS20N60FJD2
Código: 20N60FJD2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FJ
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SVS20N60FJD2 Datasheet (PDF)
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SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 20A, 600V MOS 2 12 1SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 N 2331 TO-220F-3LTO-262-3LMOSFET MOS 31
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SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 20A, 600V DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N MOSFET DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 /
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