SVS20N60FJD2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVS20N60FJD2
Маркировка: 20N60FJD2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220FJ
Аналог (замена) для SVS20N60FJD2
SVS20N60FJD2 Datasheet (PDF)
..1. Size:472K silan
svs20n60fjd2 svs20n60kd2 svs20n60td2 svs20n60pnd2 svs20n60sd2 svs20n60sd2tr svs20n60p7d2 svs20n60fd2.pdf
svs20n60fjd2 svs20n60kd2 svs20n60td2 svs20n60pnd2 svs20n60sd2 svs20n60sd2tr svs20n60p7d2 svs20n60fd2.pdf
SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 20A, 600V MOS 2 12 1SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 N 2331 TO-220F-3LTO-262-3LMOSFET MOS 31
..2. Size:460K silan
svs20n60fjd2 svs20n60kd2 svs20n60td2 svs20n60pnd2 svs20n60sd2 svs20n60sd2tr svs20n60p7d2.pdf
svs20n60fjd2 svs20n60kd2 svs20n60td2 svs20n60pnd2 svs20n60sd2 svs20n60sd2tr svs20n60p7d2.pdf
SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 20A, 600V DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N MOSFET DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 /
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100