SVT044R5ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT044R5ND
Código: 044R5ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 112 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 128 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 111 nC
Tiempo de subida (tr): 130 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 542 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVT044R5ND
SVT044R5ND Datasheet (PDF)
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SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana
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