SVT044R5ND Todos los transistores

 

SVT044R5ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVT044R5ND

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 112 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 128 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 542 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: TO252

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SVT044R5ND datasheet

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SVT044R5ND

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

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SVT044R5ND

SVT044R5NT/D/L5 178A 40V N 2 S D 1 8 SVT044R5NT/D/L5 N MOS S 2 7 D 1 D S 3 6 LVMOS G 4 5 D 3

 9.1. Size:352K  silan
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SVT044R5ND

SVT043R0NT/L5 180A 40V N 2 S D 1 8 SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D 2 LVMOS 1 D S 3 6 G 4 5 D

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SVT044R5ND

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History: APT50M50L2FLLG | G30N04D3

 

 

 

 

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