Справочник MOSFET. SVT044R5ND

 

SVT044R5ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVT044R5ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 542 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT044R5ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  silan
 svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf pdf_icon

SVT044R5ND

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

 0.1. Size:459K  silan
 svt044r5nt svt044r5ndtr svt044r5nl5tr.pdf pdf_icon

SVT044R5ND

SVT044R5NT/D/L5 178A40V N 2 S D1 8SVT044R5NT/D/L5 N MOS S 2 7 D1DS 3 6 LVMOS G 4 5 D 3

 9.1. Size:352K  silan
 svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVT044R5ND

SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:353K  silan
 svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf pdf_icon

SVT044R5ND

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CS4N70A3D | SL17N06DN1 | IPD50R280CE | CHM4410AJGP | SSF1530 | NDT6N70 | IXFR44N80P

 

 
Back to Top

 


 
.