SVT044R5ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVT044R5ND
Маркировка: 044R5ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 112 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 128 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 111 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 542 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0036 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVT044R5ND
SVT044R5ND Datasheet (PDF)
svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf
SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana
svt044r5nt svt044r5ndtr svt044r5nl5tr.pdf
SVT044R5NT/D/L5 178A40V N 2 S D1 8SVT044R5NT/D/L5 N MOS S 2 7 D1DS 3 6 LVMOS G 4 5 D 3
svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf
SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D
svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf
SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
