SVT044R5ND - описание и поиск аналогов

 

SVT044R5ND. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVT044R5ND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 542 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVT044R5ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT044R5ND даташит

 ..1. Size:485K  silan
 svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf pdf_icon

SVT044R5ND

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

 0.1. Size:459K  silan
 svt044r5nt svt044r5ndtr svt044r5nl5tr.pdf pdf_icon

SVT044R5ND

SVT044R5NT/D/L5 178A 40V N 2 S D 1 8 SVT044R5NT/D/L5 N MOS S 2 7 D 1 D S 3 6 LVMOS G 4 5 D 3

 9.1. Size:352K  silan
 svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVT044R5ND

SVT043R0NT/L5 180A 40V N 2 S D 1 8 SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D 2 LVMOS 1 D S 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:353K  silan
 svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf pdf_icon

SVT044R5ND

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVS20N60FJD2 , SVS20N60KD2 , SVS20N60TD2 , SVS20N60PND2 , SVS20N60SD2 , SVS20N60SD2TR , SVS20N60P7D2 , SVT044R5NT , IRLB4132 , SVT044R5NL5 , SVT088R0NT , SVT13N06SA , IXFA18N65X2 , IXFA60N25X3 , IXFA80N25X3 , IXFH18N65X2 , IXFH40N85X .

History: XP152A12C0MR-G | CPC3730

 

 

 

 

↑ Back to Top
.