SVT088R0NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT088R0NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 296 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SVT088R0NT MOSFET
SVT088R0NT Datasheet (PDF)
svt085r5nt svt085r5ns svt085r5nstr svt085r5nl5tr svt085r5nkl.pdf

SVT085R5NT(S)(L5)(KL) 120A85V N 2 S D1 8SVT085R5NT/S/L5/KL N MOS S 2 7 D1DS 3 6 LVMOS G 4 5 D 3
Otros transistores... SVS20N60TD2 , SVS20N60PND2 , SVS20N60SD2 , SVS20N60SD2TR , SVS20N60P7D2 , SVT044R5NT , SVT044R5ND , SVT044R5NL5 , SPP20N60C3 , SVT13N06SA , IXFA18N65X2 , IXFA60N25X3 , IXFA80N25X3 , IXFH18N65X2 , IXFH40N85X , IXFH50N85X , IXFH90N20X3 .
History: AP9998GI-HF | APM4053PU | FQD11P06TM
History: AP9998GI-HF | APM4053PU | FQD11P06TM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943