SVT088R0NT Todos los transistores

 

SVT088R0NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT088R0NT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 296 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVT088R0NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  silan
svt088r0nt.pdf pdf_icon

SVT088R0NT

SVT088R0NT 95A75V N 2SVT088R0NT N MOS LVMOS 1 3

 9.1. Size:374K  silan
svt085r5nt svt085r5ns svt085r5nstr svt085r5nl5tr svt085r5nkl.pdf pdf_icon

SVT088R0NT

SVT085R5NT(S)(L5)(KL) 120A85V N 2 S D1 8SVT085R5NT/S/L5/KL N MOS S 2 7 D1DS 3 6 LVMOS G 4 5 D 3

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: GP2M011A090NG | AP2323AGN | FDS6892A | IPB14N03LA | NTLJS4159NT1G | VBL2658 | WFW40N25W

 

 
Back to Top

 


 
.