SVT088R0NT Todos los transistores

 

SVT088R0NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT088R0NT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 296 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SVT088R0NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  silan
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SVT088R0NT

SVT088R0NT 95A75V N 2SVT088R0NT N MOS LVMOS 1 3

 9.1. Size:374K  silan
svt085r5nt svt085r5ns svt085r5nstr svt085r5nl5tr svt085r5nkl.pdf pdf_icon

SVT088R0NT

SVT085R5NT(S)(L5)(KL) 120A85V N 2 S D1 8SVT085R5NT/S/L5/KL N MOS S 2 7 D1DS 3 6 LVMOS G 4 5 D 3

Otros transistores... SVS20N60TD2 , SVS20N60PND2 , SVS20N60SD2 , SVS20N60SD2TR , SVS20N60P7D2 , SVT044R5NT , SVT044R5ND , SVT044R5NL5 , SPP20N60C3 , SVT13N06SA , IXFA18N65X2 , IXFA60N25X3 , IXFA80N25X3 , IXFH18N65X2 , IXFH40N85X , IXFH50N85X , IXFH90N20X3 .

History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
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