SVT088R0NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVT088R0NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 98 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVT088R0NT Datasheet (PDF)
9.1. Size:374K silan
svt085r5nt svt085r5ns svt085r5nstr svt085r5nl5tr svt085r5nkl.pdf
svt085r5nt svt085r5ns svt085r5nstr svt085r5nl5tr svt085r5nkl.pdf

SVT085R5NT(S)(L5)(KL) 120A85V N 2 S D1 8SVT085R5NT/S/L5/KL N MOS S 2 7 D1DS 3 6 LVMOS G 4 5 D 3
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CET04N10 | H5N2004DS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943