SVT088R0NT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVT088R0NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVT088R0NT
SVT088R0NT Datasheet (PDF)
svt085r5nt svt085r5ns svt085r5nstr svt085r5nl5tr svt085r5nkl.pdf

SVT085R5NT(S)(L5)(KL) 120A85V N 2 S D1 8SVT085R5NT/S/L5/KL N MOS S 2 7 D1DS 3 6 LVMOS G 4 5 D 3
Другие MOSFET... SVS20N60TD2 , SVS20N60PND2 , SVS20N60SD2 , SVS20N60SD2TR , SVS20N60P7D2 , SVT044R5NT , SVT044R5ND , SVT044R5NL5 , 12N60 , SVT13N06SA , IXFA18N65X2 , IXFA60N25X3 , IXFA80N25X3 , IXFH18N65X2 , IXFH40N85X , IXFH50N85X , IXFH90N20X3 .
History: SSF2160G4 | AOB280L | IRFD123 | 2SK4096LS-1E | RU6888S | F11F60C3M | BSP300
History: SSF2160G4 | AOB280L | IRFD123 | 2SK4096LS-1E | RU6888S | F11F60C3M | BSP300



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943