IXFP80N25X3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFP80N25X3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 890 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de IXFP80N25X3 MOSFET
IXFP80N25X3 Datasheet (PDF)
ixfa80n25x3 ixfp80n25x3 ixfq80n25x3 ixfh80n25x3.pdf

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA80N25X3Power MOSFET ID25 = 80AIXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3TO-263 AA (IXFA)IXFH80N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSFast Intrinsic DiodeD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab)VTO-3P (IXFQ)VDGR
ixfp8n50pm.pdf

Preliminary Technical InformationIXFP 8N50PM VDSS = 500 VPolarHVTMHiPerFETID25 = 4.4 APower MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeOVERMOLDED TO-220Symbol Test Conditions Maximum Ratings(IXTP...M) OUTLINEVDSS TJ = 25 C to
ixfa8n85xhv ixfp8n85x ixfq8n85x.pdf

PreliminaryTechnical InformationX-Class HiPERFET VDSS = 850VIXFA8N85XHVPower MOSFET ID25 = 8AIXFP8N85X RDS(on) 850m IXFQ8N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HV (IXFA)GSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuous
ixfa8n50p3 ixfp8n50p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFA8N50P3Power MOSFETs ID25 = 8AIXFP8N50P3 RDS(on) 800m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M
Otros transistores... IXFH18N65X2 , IXFH40N85X , IXFH50N85X , IXFH90N20X3 , IXFK50N85X , IXFK80N65X2 , IXFP34N65X2M , IXFP60N25X3 , AO4407 , IXFP90N20X3 , IXFQ60N25X3 , IXFQ80N25X3 , IXFQ90N20X3 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 , IXTH240N15X4 .
History: PJA3431 | 2SK4145-S19-AY | STLT19 | IXTK102N65X2 | AOB254L | IXTY10P15T | SDP10N60
History: PJA3431 | 2SK4145-S19-AY | STLT19 | IXTK102N65X2 | AOB254L | IXTY10P15T | SDP10N60



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924