IXFQ60N25X3 Todos los transistores

 

IXFQ60N25X3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFQ60N25X3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 645 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO3P

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IXFQ60N25X3 datasheet

 ..1. Size:288K  ixys
 ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf pdf_icon

IXFQ60N25X3

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250V IXFA60N25X3 Power MOSFET ID25 = 60A IXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 250 V VGSS Co

 7.1. Size:166K  ixys
 ixfh60n60x ixfq60n60x.pdf pdf_icon

IXFQ60N25X3

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFQ60N60X Power MOSFET ID25 = 60A IXFH60N60X RDS(on) 55m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-3P (IXFQ) Fast Intrinsic Diode G D S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-247 (IXFH) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1

Otros transistores... IXFH50N85X , IXFH90N20X3 , IXFK50N85X , IXFK80N65X2 , IXFP34N65X2M , IXFP60N25X3 , IXFP80N25X3 , IXFP90N20X3 , NCEP15T14 , IXFQ80N25X3 , IXFQ90N20X3 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 , IXTH240N15X4 , IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV .

History: 2SK1134 | 4N65KL-TF3-T | IRF7313PBF-1 | HM4402E | MMN400A006U1 | IRF720SPBF | 2SK3111

 

 

 

 

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