STD12N06 Todos los transistores

 

STD12N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD12N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de STD12N06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STD12N06 datasheet

 0.1. Size:170K  1
 std12n05l-1 std12n05lt4 std12n06l-1 std12n06lt4.pdf pdf_icon

STD12N06

STD12N05L STD12N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD12N05L 50 V

 0.2. Size:172K  1
 std12n05-1 std12n05t4 std12n06-1 std12n06t4.pdf pdf_icon

STD12N06

STD12N05 STD12N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD12N05 50 V

 7.1. Size:177K  st
 std12n05.pdf pdf_icon

STD12N06

STD12N05 STD12N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD12N05 50 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STD10N10LT4 , STD10N10T4 , STD12N05 , STD12N05-1 , STD12N05L , STD12N05L-1 , STD12N05LT4 , STD12N05T4 , 18N50 , STD12N06-1 , STD12N06L , STD12N06L-1 , STD12N06LT4 , STD12N06T4 , STD15N06-1 , STD15N06L-1 , STD15N06LT4 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.