Справочник MOSFET. STD12N06

 

STD12N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD12N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD12N06

 

 

STD12N06 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:170K  1
std12n05l-1 std12n05lt4 std12n06l-1 std12n06lt4.pdf

STD12N06
STD12N06

STD12N05LSTD12N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05L 50 V

 0.2. Size:172K  1
std12n05-1 std12n05t4 std12n06-1 std12n06t4.pdf

STD12N06
STD12N06

STD12N05STD12N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05 50 V

 7.1. Size:177K  st
std12n05.pdf

STD12N06
STD12N06

STD12N05STD12N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05 50 V

Другие MOSFET... STD10N10LT4 , STD10N10T4 , STD12N05 , STD12N05-1 , STD12N05L , STD12N05L-1 , STD12N05LT4 , STD12N05T4 , IRFB31N20D , STD12N06-1 , STD12N06L , STD12N06L-1 , STD12N06LT4 , STD12N06T4 , STD15N06-1 , STD15N06L-1 , STD15N06LT4 .

 

 
Back to Top