STD12N06 - описание и поиск аналогов

 

STD12N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD12N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD12N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD12N06 даташит

 0.1. Size:170K  1
std12n05l-1 std12n05lt4 std12n06l-1 std12n06lt4.pdfpdf_icon

STD12N06

STD12N05L STD12N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD12N05L 50 V

 0.2. Size:172K  1
std12n05-1 std12n05t4 std12n06-1 std12n06t4.pdfpdf_icon

STD12N06

STD12N05 STD12N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD12N05 50 V

 7.1. Size:177K  st
std12n05.pdfpdf_icon

STD12N06

STD12N05 STD12N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD12N05 50 V

Другие MOSFET... STD10N10LT4 , STD10N10T4 , STD12N05 , STD12N05-1 , STD12N05L , STD12N05L-1 , STD12N05LT4 , STD12N05T4 , 18N50 , STD12N06-1 , STD12N06L , STD12N06L-1 , STD12N06LT4 , STD12N06T4 , STD15N06-1 , STD15N06L-1 , STD15N06LT4 .

History: STD12N05L-1 | STD12N05-1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.