BSC065N06LS5 Todos los transistores

 

BSC065N06LS5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC065N06LS5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: SUPERSO8

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BSC065N06LS5 datasheet

 ..1. Size:1307K  infineon
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BSC065N06LS5

BSC065N06LS5 MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level 4 Qualified according to JEDEC1) for target applications 1 3 2 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant 3 1 4 Halogen-free according t

 9.1. Size:592K  infineon
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BSC065N06LS5

pe % ! % TM # %?88,A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8

 9.2. Size:456K  infineon
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BSC065N06LS5

Type BSC067N06LS3 G Product Summary OptiMOSTM3 Power-Transistor Features VDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 6.7 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tes

 9.3. Size:539K  infineon
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BSC065N06LS5

& $ "& '! $ $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D V Features DS 6.0 m Q C ?8=6 ) 92??6= ? ,EA6B,( DS(on) max 1) Q * E2= 7 65 244@B5 ?8 $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C 100 A D Q T @A6B2D ?8 D6>A6B2DEB6 PG TDSON 8 Q F2=2?496 B2D65 Q . CA64 2==I CE D65 7@B ?@D63@@A= 2?D Q 2AA= 42D @?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG D49 ?8 Q "2=

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