BSC065N06LS5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC065N06LS5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: SUPERSO8
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BSC065N06LS5 datasheet
bsc065n06ls5.pdf
BSC065N06LS5 MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level 4 Qualified according to JEDEC1) for target applications 1 3 2 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant 3 1 4 Halogen-free according t
bsc067n06ls3g.pdf
Type BSC067N06LS3 G Product Summary OptiMOSTM3 Power-Transistor Features VDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 6.7 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tes
bsc060p03ns3eg.pdf
& $ "& '! $ $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D V Features DS 6.0 m Q C ?8=6 ) 92??6= ? ,EA6B,( DS(on) max 1) Q * E2= 7 65 244@B5 ?8 $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C 100 A D Q T @A6B2D ?8 D6>A6B2DEB6 PG TDSON 8 Q F2=2?496 B2D65 Q . CA64 2==I CE D65 7@B ?@D63@@A= 2?D Q 2AA= 42D @?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG D49 ?8 Q "2=
Otros transistores... BSC0402NS , BSC040N10NS5SC , BSC0501NSI , BSC0502NSI , BSC0503NSI , BSC0504NSI , BSC050N10NS5 , BSC059N04LS6 , IRF830 , BSC0702LS , BSC070N10LS5 , BSC070N10NS5SC , BSC072N04LD , BSC074N15NS5 , BSC076N04ND , BSC0804LS , BSC0805LS .
History: BS108G
History: BS108G
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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