BSZ0589NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ0589NS
Código: 0589NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
Paquete / Cubierta: TSDSON-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSZ0589NS
BSZ0589NS Datasheet (PDF)
bsz0589ns.pdf
BSZ0589NSMOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 30 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance Wireless charger Very low FOM for high frequency SMPSQOSS Low FOM for high frequency SMPSSW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Superior th
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Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918