IPB017N10N5LF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB017N10N5LF
Código: 017N10LF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 313 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4.1 V
Carga de compuerta (Qg): 195 nC
Tiempo de elevación (tr): 28 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1900 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0017 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO263-7
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IPB017N10N5LF Datasheet (PDF)
0.1. ipb017n10n5lf.pdf 
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IPB017N10N5LFMOSFETD-PAK 7pinOptiMOSTM 5 Linear FET, 100 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applicationstab Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level1 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant7 Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61
3.1. ipb017n10n5.pdf Size:2346K _infineon
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5D-PAK 7pin1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low
7.1. ipb017n06n3 ipb017n06n3g.pdf Size:661K _infineon
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7.2. ipb017n08n5.pdf Size:1149K _infineon
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R
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