IPB017N10N5LF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IPB017N10N5LF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
Тип корпуса: TO263-7
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IPB017N10N5LF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPB017N10N5LF даташит
ipb017n10n5lf.pdf
IPB017N10N5LF MOSFET D -PAK 7pin OptiMOSTM 5 Linear FET, 100 V Features Ideal for hot-swap and e-fuse applications tab Very low on-resistance R DS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 1 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant 7 Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61
ipb017n10n5.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V IPB017N10N5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V IPB017N10N5 D -PAK 7pin 1 Description Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. tab Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low
ipb017n08n5.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB017N08N5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB017N08N5 D PAK 1 Description Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R
ipb017n06n3 ipb017n06n3g.pdf
pe # ! ! D # A03 B53 1 7 mW D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 1 D Q H35
Другие IGBT... IPAW60R190CE, IPAW60R280CE, IPAW60R280P7S, IPAW60R380CE, IPAW60R600CE, IPAW60R600P7S, IPAW70R600CE, IPAW70R950CE, 10N60, IPB019N08N5, IPB024N10N5, IPB032N10N5, IPB060N15N5, IPB110P06LM, IPB120N03S4L-03, IPB120N04S4-04, IPB120N04S4L-02
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: VBE1695 | JMTG100N03A | VBE1806 | PHD36N03LT | JMTG060P03A | JMTG080N04D | JMTG062N04D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet




