Справочник MOSFET. IPB017N10N5LF

 

IPB017N10N5LF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB017N10N5LF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
 

 Аналог (замена) для IPB017N10N5LF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB017N10N5LF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  infineon
 ipb017n10n5lf.pdf pdf_icon

IPB017N10N5LF

IPB017N10N5LFMOSFETD-PAK 7pinOptiMOSTM 5 Linear FET, 100 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applicationstab Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level1 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant7 Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61

 3.1. Size:2346K  infineon
 ipb017n10n5.pdf pdf_icon

IPB017N10N5LF

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5D-PAK 7pin1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

 7.1. Size:1149K  infineon
 ipb017n08n5.pdf pdf_icon

IPB017N10N5LF

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R

 7.2. Size:661K  infineon
 ipb017n06n3 ipb017n06n3g.pdf pdf_icon

IPB017N10N5LF

pe # ! ! D #:A03 B53 1 7 mWD n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 1 DQ H35

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPAW60R190CE , IPAW60R280CE , IPAW60R280P7S , IPAW60R380CE , IPAW60R600CE , IPAW60R600P7S , IPAW70R600CE , IPAW70R950CE , IRFB4110 , IPB019N08N5 , IPB024N10N5 , IPB032N10N5 , IPB060N15N5 , IPB110P06LM , IPB120N03S4L-03 , IPB120N04S4-04 , IPB120N04S4L-02 .

History: STY80NM60N | KF7N65FM

 

 
Back to Top

 


 
.