IPB160N04S4L-H1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB160N04S4L-H1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1920 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
Encapsulados: TO263-7
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IPB160N04S4L-H1 datasheet
ipb160n04s4l-h1.pdf
Data Sheet IPB160N04S4L-H1 OptiMOSTM-T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on) 1.5 m ID 160 A Features N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB160N04S4L-H1 PG-TO263-7-3 4N04LH1 Ma
ipb160n04s4-h1.pdf
IPB160N04S4-H1 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 1.6 mW DS(on) I 160 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB160N04S4-H1 PG-TO263-7-3 4N04H1
ipb160n04s4-h1 ds 1 0.pdf
IPB160N04S4-H1 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 1.6 m DS(on) I 160 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB160N04S4-H1 PG-TO263-7-3 4N04H1
Otros transistores... IPB110P06LM , IPB120N03S4L-03 , IPB120N04S4-04 , IPB120N04S4L-02 , IPB120N08S4-03 , IPB120N08S4-04 , IPB120P04P4-04 , IPB140N08S4-04 , IRF9540N , IPB17N25S3-100 , AUIRF1324L , AUIRF7734M2TR , AUIRF7749L2TR , AUIRF7759L2TR , AUIRF7769L2TR , AUIRF7799L2TR , AUIRF8736M2TR .
History: 2SK2568 | IPI111N15N3 | MEE7630-G | AOV11S60 | JCS10N65CT | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210
History: 2SK2568 | IPI111N15N3 | MEE7630-G | AOV11S60 | JCS10N65CT | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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