BSG0810NDI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSG0810NDI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm
Encapsulados: TISON8-4
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BSG0810NDI datasheet
bsg0810ndi.pdf
BSG0810NDI Product Summary Power Block Q1 Q2 Features VDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS 5 MOSFET RDS(on),max VGS=10 V 3 0.85 mW Logic level (4.5V rated) VGS=4.5 V 4 1.2 Pb-free lead plating; RoHS compliant ID 50 50 A Optimized for high performance Buck converter S1/D2 (VPhase) (5) (4) D1 (Vin) Qualified according to JEDEC1) for target ap
bsg0813ndi.pdf
BSG0813NDI Product Summary Power Block Q1 Q2 Features VDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS 5 MOSFET RDS(on),max VGS=10 V 3 1.2 mW Logic level (4.5V rated) VGS=4.5 V 4 1.7 Optimized for high performance buck converters ID 50 50 A Pb-free lead plating; RoHS compliant S1/D2 (VPhase) (5) (4) D1 (Vin) Qualified according to JEDEC1) for target app
bsg0811nd.pdf
BSG0811ND Product Summary Power Block Q1 Q2 Features VDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS 5 MOSFET RDS(on),max VGS=10 V 3 0.8 mW Logic level (4.5V rated) VGS=4.5 V 4 1.1 Optimized for high performance buck converters ID 50 50 A Qualified according to JEDEC1) for target applications S1/D2 (VPhase) (5) (4) D1 (Vin) Pb-free lead plating; RoHS c
Otros transistores... AUIRFSA8409-7P , BF999 , BSC012N06NS , BSC025N08LS5 , BSC027N10NS5 , BSC037N08NS5T , BSC079N03LSCG , BSC220N20NSFD , CS150N03A8 , BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 .
History: SUD23N06-31
History: SUD23N06-31
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