BSZ160N10NS3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ160N10NS3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TSDSON-8
Búsqueda de reemplazo de BSZ160N10NS3 MOSFET
BSZ160N10NS3 Datasheet (PDF)
bsz160n10ns3.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 100VOptiMOS 3 Power TransistorBSZ160N10NS3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketBSZ160N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 16 mW Optimized technology for DC/DC convertersID
bsz160n10ns3g.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 100VOptiMOS 3 Power TransistorBSZ160N10NS3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketBSZ160N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 16 mW Optimized technology for DC/DC convertersID
bsz160n10n3sg.pdf

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bsz16dn25ns3 bsz16dn25ns3g.pdf

TypeBSZ16DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 165mW N-channel, normal levelID 10.9 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)
Otros transistores... BSC037N08NS5T , BSC079N03LSCG , BSC220N20NSFD , BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , IRFZ24N , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , FF45MR12W1M1B11 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 .
History: CJP04N60 | KP751A1 | IRFI9530GPBF | FIR50N15PG | SUP90N08-7M7P | CS5N70F | AP04N60J
History: CJP04N60 | KP751A1 | IRFI9530GPBF | FIR50N15PG | SUP90N08-7M7P | CS5N70F | AP04N60J



Liste
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MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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