Справочник MOSFET. BSZ160N10NS3

 

BSZ160N10NS3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ160N10NS3
   Маркировка: 160N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSZ160N10NS3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ160N10NS3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  infineon
 bsz160n10ns3.pdf pdf_icon

BSZ160N10NS3

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 100VOptiMOS 3 Power TransistorBSZ160N10NS3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketBSZ160N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 16 mW Optimized technology for DC/DC convertersID

 0.1. Size:489K  1
 bsz160n10ns3g.pdf pdf_icon

BSZ160N10NS3

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 100VOptiMOS 3 Power TransistorBSZ160N10NS3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketBSZ160N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 16 mW Optimized technology for DC/DC convertersID

 4.1. Size:452K  infineon
 bsz160n10n3sg.pdf pdf_icon

BSZ160N10NS3

%* ! !% #;B 1= &=-:>5>?;=#=;0@/? %@99-=DFeatures 1 D Q #4513I CG9D389>7 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

 9.1. Size:572K  infineon
 bsz16dn25ns3 bsz16dn25ns3g.pdf pdf_icon

BSZ160N10NS3

TypeBSZ16DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 165mW N-channel, normal levelID 10.9 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC037N08NS5T , BSC079N03LSCG , BSC220N20NSFD , BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , IRFZ24N , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , FF45MR12W1M1B11 , IAUA120N04S5N014 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 .

History: MCH6603

 

 
Back to Top

 


 
.