IAUA120N04S5N014 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IAUA120N04S5N014
   Código: 5N04N014
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOF-5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IAUA120N04S5N014

IAUA120N04S5N014 Datasheet (PDF)

0.1. Size:669K infineon
iaua120n04s5n014.pdf

IAUA120N04S5N014OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.4mWID 120 AFeaturesPG-HSOF-5 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL3 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested1

9.1. Size:671K infineon
iaua180n04s5n012.pdf

IAUA180N04S5N012OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.2mWID 180 AFeaturesPG-HSOF-5 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL3 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested1

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: