IAUA120N04S5N014 Todos los transistores

 

IAUA120N04S5N014 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUA120N04S5N014
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOF-5
 

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IAUA120N04S5N014 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:669K  infineon
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IAUA120N04S5N014

IAUA120N04S5N014OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.4mWID 120 AFeaturesPG-HSOF-5 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL3 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested1

 9.1. Size:671K  infineon
 iaua180n04s5n012.pdf pdf_icon

IAUA120N04S5N014

IAUA180N04S5N012OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.2mWID 180 AFeaturesPG-HSOF-5 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL3 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested1

Otros transistores... BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , BSZ215CH , DF11MR12W1M1PB11 , DF23MR12W1M1PB11 , F3L15MR12W2M1B69 , FF45MR12W1M1B11 , 5N65 , IAUA180N04S5N012 , IAUA200N04S5N010 , IAUC100N04S6L014 , IAUC100N04S6L020 , IAUC100N04S6L025 , IAUC100N04S6N015 , IAUC100N04S6N022 , IAUC100N04S6N028 .

History: VBE2102M | QM3018D | 2SK1094 | OSG80R380HF

 

 
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