IAUA120N04S5N014 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IAUA120N04S5N014
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
Encapsulados: HSOF-5
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IAUA120N04S5N014 datasheet
iaua120n04s5n014.pdf
IAUA120N04S5N014 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.4 mW ID 120 A Features PG-HSOF-5 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL3 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested 1
iaua180n04s5n012.pdf
IAUA180N04S5N012 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.2 mW ID 180 A Features PG-HSOF-5 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL3 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested 1
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History: RUF025N02 | SUD23N06-31
History: RUF025N02 | SUD23N06-31
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