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IAUC100N04S6N028 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IAUC100N04S6N028

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 429 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00286 Ohm

Encapsulados: TDSON-8

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IAUC100N04S6N028 datasheet

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IAUC100N04S6N028

IAUC100N04S6N015 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.5 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

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IAUC100N04S6N028

IAUC100N04S6N028 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.8 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

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IAUC100N04S6N028

IAUC100N04S6N022 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.2 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

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History: HA20N60 | 2SK1562 | 2SK2568 | IAUC100N04S6L014 | MEE7292-G | SI2333 | MS5N100

 

 

 

 

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