IAUC24N10S5L300 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IAUC24N10S5L300
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IAUC24N10S5L300
IAUC24N10S5L300 Datasheet (PDF)
iauc24n10s5l300.pdf
IAUC24N10S5L300OptiMOSTM-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on) 30mWID 24 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 Green product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspe
iauc28n08s5l230.pdf
IAUC28N08S5L230OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 80 VFeaturesRDS(on) 23mW OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsID 28 A N-channel - Enhancement mode - Logic Level MSL1 up to 260C peak reflowPG-TDSON-8 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested1Quality Features Infineon Au
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Liste
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