IAUC24N10S5L300 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IAUC24N10S5L300
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: TDSON-8
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IAUC24N10S5L300 datasheet
iauc24n10s5l300.pdf
IAUC24N10S5L300 OptiMOSTM-5 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on) 30 mW ID 24 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 Green product (RoHS compliant) 1 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspe
iauc28n08s5l230.pdf
IAUC28N08S5L230 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V Features RDS(on) 23 mW OptiMOS - power MOSFET for automotive applications ID 28 A N-channel - Enhancement mode - Logic Level MSL1 up to 260 C peak reflow PG-TDSON-8 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested 1 Quality Features Infineon Au
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History: JMSH0602AE | HX2301A | WSP9926A
History: JMSH0602AE | HX2301A | WSP9926A
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