IAUC24N10S5L300 Todos los transistores

 

IAUC24N10S5L300 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IAUC24N10S5L300

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TDSON-8

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IAUC24N10S5L300 datasheet

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IAUC24N10S5L300

IAUC24N10S5L300 OptiMOSTM-5 Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on) 30 mW ID 24 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 Green product (RoHS compliant) 1 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspe

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IAUC24N10S5L300

IAUC28N08S5L230 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V Features RDS(on) 23 mW OptiMOS - power MOSFET for automotive applications ID 28 A N-channel - Enhancement mode - Logic Level MSL1 up to 260 C peak reflow PG-TDSON-8 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested 1 Quality Features Infineon Au

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History: JMSH0602AE | HX2301A | WSP9926A

 

 

 


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