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IAUC80N04S6L032 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IAUC80N04S6L032

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00329 Ohm

Encapsulados: TDSON-8

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IAUC80N04S6L032 datasheet

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IAUC80N04S6L032

IAUC80N04S6L032 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 3.2 mW ID 80 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 3.1. Size:665K  infineon
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IAUC80N04S6L032

IAUC80N04S6N036 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 3.6 mW ID 80 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

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History: IAUS165N08S5N029 | SMD7N65 | ME8107-G | HP20N50 | SMG1330N | ME80N75T-G

 

 

 

 

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