IAUS240N08S5N019 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IAUS240N08S5N019
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1152 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
Encapsulados: HSOG-8-1
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IAUS240N08S5N019 datasheet
iaus240n08s5n019.pdf
IAUS240N08S5N019 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V RDS(on) 1.9 mW ID 240 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualified Tab MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature 8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 1 Drain 100% Avalanche tested Tab Gate Type Package Marking pi
iaus200n08s5n023.pdf
IAUS200N08S5N023 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 80 V RDS(on) 2.3 mW ID 200 A Features N-channel - Enhancement mode PG-HSOG-8-1 AEC qualified Tab MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature 8 Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 1 Drain 100% Avalanche tested Tab Gate Type Package Marking pin
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