IAUZ18N10S5L420 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IAUZ18N10S5L420
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: TSDSON-8
Búsqueda de reemplazo de IAUZ18N10S5L420 MOSFET
IAUZ18N10S5L420 Datasheet (PDF)
iauz18n10s5l420.pdf

IAUZ18N10S5L420OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on),max 42mWID 18 AFeaturesPG-TSDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
Otros transistores... IAUC70N08S5N074 , IAUC80N04S6L032 , IAUC80N04S6N036 , IAUC90N10S5N062 , IAUS165N08S5N029 , IAUS200N08S5N023 , IAUS240N08S5N019 , IAUS300N08S5N014 , EMB04N03H , IGLD60R070D1 , IGLD60R190D1 , IGO60R070D1 , IGOT60R070D1 , IGT60R070D1 , IGT60R190D1S , IPA60R180P7S , IPA60R360P7S .
History: APT1201R2BFLLG | IXTQ180N085T | FDS4070N3 | NDD01N60 | OSG80R650IF | IRF9540NPBF | SIHF640S
History: APT1201R2BFLLG | IXTQ180N085T | FDS4070N3 | NDD01N60 | OSG80R650IF | IRF9540NPBF | SIHF640S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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