STD1NA60T4 Todos los transistores

 

STD1NA60T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD1NA60T4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.75 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD1NA60T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  1
 std1na60 std1na60-1 std1na60t4.pdf pdf_icon

STD1NA60T4

STD1NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NA60 600 V

 6.1. Size:171K  st
 std1na60.pdf pdf_icon

STD1NA60T4

STD1NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NA60 600 V

 9.1. Size:280K  st
 std1nc60.pdf pdf_icon

STD1NA60T4

STD1NC60N-CHANNEL 600V - 7 - 1.4A - DPAK/IPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1NC60 600 V

 9.2. Size:56K  st
 std1nb80-1.pdf pdf_icon

STD1NA60T4

STD1NB80-1N - CHANNEL 800V - 16 - 1A - IPAKPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NB80-1 800 V

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