STD1NA60T4. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STD1NA60T4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD1NA60T4
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STD1NA60T4 даташит
std1na60 std1na60-1 std1na60t4.pdf
STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NA60 600 V
std1na60.pdf
STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NA60 600 V
std1nc60.pdf
STD1NC60 N-CHANNEL 600V - 7 - 1.4A - DPAK/IPAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD1NC60 600 V
std1nb80-1.pdf
STD1NB80-1 N - CHANNEL 800V - 16 - 1A - IPAK PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STD1NB80-1 800 V
Другие MOSFET... STD17N05T4 , STD17N06 , STD17N06-1 , STD17N06L , STD17N06L-1 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , STD1NA60-1 , EMB04N03H , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 , STD3N25T4 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet









