Справочник MOSFET. STD1NA60T4

 

STD1NA60T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD1NA60T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD1NA60T4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD1NA60T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  1
 std1na60 std1na60-1 std1na60t4.pdf pdf_icon

STD1NA60T4

STD1NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NA60 600 V

 6.1. Size:171K  st
 std1na60.pdf pdf_icon

STD1NA60T4

STD1NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NA60 600 V

 9.1. Size:280K  st
 std1nc60.pdf pdf_icon

STD1NA60T4

STD1NC60N-CHANNEL 600V - 7 - 1.4A - DPAK/IPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD1NC60 600 V

 9.2. Size:56K  st
 std1nb80-1.pdf pdf_icon

STD1NA60T4

STD1NB80-1N - CHANNEL 800V - 16 - 1A - IPAKPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTD1NB80-1 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD17N05T4 , STD17N06 , STD17N06-1 , STD17N06L , STD17N06L-1 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , STD1NA60-1 , 2SK3918 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 , STD3N25T4 .

 

 
Back to Top

 


 
.