IPB240N03S4L-R8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB240N03S4L-R8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00076 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263-7
Búsqueda de reemplazo de IPB240N03S4L-R8 MOSFET
IPB240N03S4L-R8 Datasheet (PDF)
ipb240n03s4l-r8.pdf

IPB240N03S4L-R8OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 0.76mWDS(on)I 240 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB240N03S4L-R8 PG-TO263-7-3 4N03
ipb240n04s4-r9.pdf

IPB240N04S4-R9OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 0.87mWDS(on)I 240 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB240N04S4-R9 PG-TO263-7-3 4N04R9
ipb240n04s4-1r0.pdf

IPB240N04S4-1R0OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.0mWDS(on)I 240 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB240N04S4-1R0 PG-TO263-7-3 4N041
Otros transistores... IPB120P04P4L-03 , IPB180N04S4L-01 , IPB180N04S4L-H0 , IPB180N08S4-02 , IPB180N10S4-02 , IPB180N10S4-03 , IPB180P04P4-03 , IPB180P04P4L-02 , IRF640N , IPB240N04S4-1R0 , IPB240N04S4-R9 , IPB35N10S3L-26 , IPB50N12S3L-15 , IPB60R040CFD7 , IPB60R045P7 , IPB60R070CFD7 , IPB60R090CFD7 .
History: SST202 | UT8205AL-S08-R | NCE85H21TC | AO4932 | CJD04N60A | STD5NK50Z
History: SST202 | UT8205AL-S08-R | NCE85H21TC | AO4932 | CJD04N60A | STD5NK50Z



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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