IPB240N04S4-R9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB240N04S4-R9
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3850 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00087 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263-7
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB240N04S4-R9
IPB240N04S4-R9 Datasheet (PDF)
ipb240n04s4-r9.pdf
IPB240N04S4-R9OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 0.87mWDS(on)I 240 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB240N04S4-R9 PG-TO263-7-3 4N04R9
ipb240n04s4-1r0.pdf
IPB240N04S4-1R0OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.0mWDS(on)I 240 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB240N04S4-1R0 PG-TO263-7-3 4N041
ipb240n03s4l-r8.pdf
IPB240N03S4L-R8OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 0.76mWDS(on)I 240 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB240N03S4L-R8 PG-TO263-7-3 4N03
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Liste
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