IPB240N04S4-R9 Todos los transistores

 

IPB240N04S4-R9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB240N04S4-R9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00087 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-7
 

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IPB240N04S4-R9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  infineon
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IPB240N04S4-R9

IPB240N04S4-R9OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 0.87mWDS(on)I 240 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB240N04S4-R9 PG-TO263-7-3 4N04R9

 2.1. Size:183K  infineon
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IPB240N04S4-R9

IPB240N04S4-1R0OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.0mWDS(on)I 240 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB240N04S4-1R0 PG-TO263-7-3 4N041

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IPB240N04S4-R9

IPB240N03S4L-R8OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 0.76mWDS(on)I 240 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB240N03S4L-R8 PG-TO263-7-3 4N03

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History: 4N60G | BL20N65-A | 2N4416ACSM | MS4N65 | VBFB165R07 | HSS2306A | NTB30N06L

 

 
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