IPB240N04S4-R9 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB240N04S4-R9

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00087 Ohm

Encapsulados: TO263-7

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IPB240N04S4-R9 datasheet

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IPB240N04S4-R9

IPB240N04S4-R9 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 0.87 mW DS(on) I 240 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB240N04S4-R9 PG-TO263-7-3 4N04R9

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IPB240N04S4-R9

IPB240N04S4-1R0 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 1.0 mW DS(on) I 240 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB240N04S4-1R0 PG-TO263-7-3 4N041

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IPB240N04S4-R9

IPB240N03S4L-R8 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 30 V DS R 0.76 mW DS(on) I 240 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB240N03S4L-R8 PG-TO263-7-3 4N03

Otros transistores... IPB180N04S4L-H0, IPB180N08S4-02, IPB180N10S4-02, IPB180N10S4-03, IPB180P04P4-03, IPB180P04P4L-02, IPB240N03S4L-R8, IPB240N04S4-1R0, IRFP260N, IPB35N10S3L-26, IPB50N12S3L-15, IPB60R040CFD7, IPB60R045P7, IPB60R070CFD7, IPB60R090CFD7, IPB60R120C7, IPB60R125CFD7