IPC100N04S5-1R2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPC100N04S5-1R2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm

Encapsulados: TDSON-8-34

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IPC100N04S5-1R2 datasheet

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IPC100N04S5-1R2

IPC100N04S5-1R2 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.2 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan

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IPC100N04S5-1R2

IPC100N04S5-1R9 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.9 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan

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IPC100N04S5-1R2

IPC100N04S5-2R8 OptiMOS -5 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.8 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanc

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