IPC100N04S5-1R2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPC100N04S5-1R2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
Тип корпуса: TDSON-8-34
Аналог (замена) для IPC100N04S5-1R2
IPC100N04S5-1R2 Datasheet (PDF)
ipc100n04s5-1r2.pdf

IPC100N04S5-1R2OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.2 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan
ipc100n04s5-1r9.pdf

IPC100N04S5-1R9OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.9 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan
ipc100n04s5-2r8.pdf

IPC100N04S5-2R8OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.8 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanc
Другие MOSFET... IPB60R210CFD7 , IPB60R360CFD7 , IPB65R115CFD7A , IPB70N12S3-11 , IPB80N08S4-06 , IPB80P04P4-07 , IPB80P04P4L-04 , IPB80P04P4L-08 , IRF1010E , IPC100N04S5-1R9 , IPC100N04S5-2R8 , IPC100N04S5L-1R1 , IPC100N04S5L-1R5 , IPC100N04S5L-1R9 , IPC100N04S5L-2R6 , IPC50N04S5-5R8 , IPC50N04S5L-5R5 .
History: AOH3254 | NTD4810N-1G | 2SK1927 | LND150N3 | P1103BVG | 2SK3573-S | DMG6402LVT
History: AOH3254 | NTD4810N-1G | 2SK1927 | LND150N3 | P1103BVG | 2SK3573-S | DMG6402LVT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773