IPC100N04S5-2R8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPC100N04S5-2R8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON-8-33
Búsqueda de reemplazo de IPC100N04S5-2R8 MOSFET
IPC100N04S5-2R8 Datasheet (PDF)
ipc100n04s5-2r8.pdf

IPC100N04S5-2R8OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.8 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanc
ipc100n04s5-1r2.pdf

IPC100N04S5-1R2OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.2 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan
ipc100n04s5-1r9.pdf

IPC100N04S5-1R9OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.9 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan
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History: SIR846DP | SL21N65C | SI1025X | WMB049N12HG2 | LNC06R079 | WMK08N65C4
History: SIR846DP | SL21N65C | SI1025X | WMB049N12HG2 | LNC06R079 | WMK08N65C4



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