IPC50N04S5-5R8 Todos los transistores

 

IPC50N04S5-5R8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPC50N04S5-5R8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8-33
 

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IPC50N04S5-5R8 Datasheet (PDF)

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IPC50N04S5-5R8

IPC50N04S5-5R8OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 5.8 mW ID 50 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

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IPC50N04S5-5R8

IPC50N04S5L-5R5OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 5.5 mW ID 50 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

Otros transistores... IPB80P04P4L-08 , IPC100N04S5-1R2 , IPC100N04S5-1R9 , IPC100N04S5-2R8 , IPC100N04S5L-1R1 , IPC100N04S5L-1R5 , IPC100N04S5L-1R9 , IPC100N04S5L-2R6 , AON7410 , IPC50N04S5L-5R5 , IPC70N04S5-4R6 , IPC70N04S5L-4R2 , IPC90N04S5-3R6 , IPC90N04S5L-3R3 , IPD090N03LGE8177 , IPD100N04S4L-02 , IPD25DP06LM .

History: BUK9Y65-100E | IRFP450R | DMTH6004SK3 | TPCC8074 | STU36L01A | HCFL70R180 | 2N5114UB

 

 
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